semiconductor
室温における電気伝導率σが金属と絶縁体の中間の103~10-10ジーメンス(S)/cm程度である物質。多くの場合σは絶対零度で0に近いが温度Tとともに増大する活性型でexp(-E/KBt)に比例する。E:活性化エネルギー、KB:ボルツマン定数である。